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半导体:国产存储迎来关键里程碑,台积展望引领消费电子反弹

 

  7月16日合肥长鑫首次投片大会在合肥召开,认为结构片顺利完成、电性片正式开始投片是中国国产存储发展的一个重要里程碑!合肥长鑫睿力DRAM项目整体推进顺利有序,年底前有望实现从0到1的研发突破!近期电性能晶圆投片正式开始,流片次数上市场普遍存在误判,实际呈流水线式连续流片,年底前大概率实现10%的19nmDDR4DRAM研发良率突破、明年起开始产能爬坡!国开总行领导亦于近日调研DRAM项目,从项目领导层到国家支持有望持续迎来增强推动。

  台积电上周四正式南阳治疗癫痫的医院怎么样披露二季报,Q2受矿机、智能机季节性需求疲软增速放缓,单季度营收同比增长9%至2333亿新台币(略超市场2300亿新台币预期)。公司指引来看,7nm产品Q3营收占比预计超过10%,Q4预计超过20%,明年全年有望超过20%。认为7nm占比提升主要由iPhoneA12芯片订单驱动,台积电作为苹果上游核心供应商指引超预期,有望引领消费电子备货周期反弹!重点关注【东山精密】、【立讯精密】、【欧菲科技】!

  受益DRAM强劲需求及景气周期持续,台湾DRAM厂商南亚科营收及盈利能力继续稳步创新高!从公司指北京好的羊羔疯中医院引来看DRAM下游需求依旧强劲,4K、3D识别、AI、AR等智能机微创新持续驱动DRAM需求增长;AI驱动数据中心内存需求持续增长,电视4K渗透率超50%,物联网应用持续创造新增需求。而价格方面预计趋向稳定,Q3预计价格维持稳定,变动至多1~2%。目前DRAM市场已经比较理性,一般不会出现厂商为了市占率而大幅降价的恶性竞争情景,但是小规模竞争仍然存在,短期或有一定波动,但长期预计将维持稳定。

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